Ga2O3

酸化ガリウム
バンドギャップが大きく、絶縁破壊電界強度や飽和ドリフト速度が高く、高耐圧化や低損失化、スイッチングスピードの高速化、ひいてはデバイスの小型化などが可能となるとされている半導体材料の事。
次世代パワーデバイス材料として大きな期待を集めている。