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ダマシン法

damascene
IC の金属配線形成法の一つ。メッキ技術とリフトオフ法を併用した薄膜形成技術。銅(Cu)配線で注目された方法で、層間絶縁膜中に配線形状の溝を形成して、銅などの金属を埋め込む。接続孔に金属のコンタクトプラグを形成した後に配線溝を形成する「シングルダマシン配線法」と、接続孔および配線溝を形成した後、金属を1 度に埋め込む「デュアルダマシン配線法」がある。多層配線層を平坦にするCMP(Chemical Mechanical Polishing)技術と組み合わせて使われている。絶縁層に微細な金属配線層を埋め込む象嵌(damascene)的手法からこの名がある。