用語集

STI

shallow trench isolation
素子分離方法の一種。シリコン基板表面にドライエッチングで溝を形成した後、CVDなどの工程によって絶縁膜を堆積し、それをCMPなどで平坦化して素子分離を行う技術。LOCOSに比べて分離領域を小さくすることが可能である。しかし、溝を形成する基板表面に欠陥を生じさせない工夫が必要。
→ドライエッチング、CVD、CMP、LOCOS