用語集

SiC

silicon carbide
炭化ケイ素。Siと比較して破壊電界強度が約10倍、飽和ドリフト速度が約2倍、熱伝導度が約2倍で、高温にも強い。高耐圧化、低損失化、高温時の安定動作などの面で物理的に従来のSi半導体よりも優れた性質をもつ。