VMOS

v-groove MOS
縦型V 溝MOS FET。シリコン（Si）単結晶基板表面にV 型の溝を形成して、溝に沿ってゲート酸化膜およびゲート電極を設け、ソース電極を表面に、ドレイン電極を裏面に形成する。オン抵抗が小さいのが特徴。パワーMOS FETに利用される。