用語集

 LDD

lightly doped drain
MOS FET構造の一種。ソース・ドレイン領域で、ゲート端のチャネル近傍の拡散層の不純物濃度を比較的低濃度に形成した構造。低濃度の部分を設けることで、チャネル層内への空乏層の拡がりを抑え、実効的なチャネル長を長くできる。この結果、電界集中が緩和でき、リーク電流やホットキャリアの発生を抑えることができる。
→ホットキャリア