用語集

GaN

Gallium nitride
窒化ガリウム。Siと比較して破壊電界強度が約10倍、飽和ドリフト速度が2倍以上となり、高耐圧化、低損失化、高周波動作などの面で物理的に従来のSiよりも優れる性質をもつ。