GaAs IC

Gallium Arsenide integrated circuit
ガリウムひ素(GaAs)単結晶を基板としたIC。GaAsは、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の代表的な材料で、結晶内の電子の動き(移動度:Mobility)がシリコン(Si)に比べて5 ~ 6 倍も速く、超高速・超高周波デバイスに適している。