CMP

chemical mechanical polishing
化学的機械的研磨。ウェハ表面の平坦化、プラズマエッチングやRIE（Reactive Ion Etching）などの材料除去プロセス、また銅のデュアルダマシン法による配線形成などに使われる。物理的な研磨だけによるシリコンウェハへの損傷を低減するために化学的反応も用いる。平坦化技術という意味でChemical Mechanical Planarizationという場合もある。
→RIE、ダマシン法、平坦化技術